Producentens varenummer : | SI7450DP-T1-GE3 |
---|---|
RoHs Status : | Blyfri / RoHS-kompatibel |
Producent / Mærke : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Lager tilstand : | 29128 pcs Stock |
Beskrivelse : | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 |
Skib fra : | Hong Kong |
Dataark : | SI7450DP-T1-GE3.pdf |
Forsendelsesmåde : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Varenr. | SI7450DP-T1-GE3 |
---|---|
Fabrikant | Electro-Films (EFI) / Vishay |
Beskrivelse | MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8 |
Blyfri Status / RoHS Status | Blyfri / RoHS-kompatibel |
Mængde Tilgængelig | 29128 pcs |
Dataark | SI7450DP-T1-GE3.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package | PowerPAK® SO-8 |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 4A, 10V |
Power Dissipation (Max) | 1.9W (Ta) |
Emballage | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde | PowerPAK® SO-8 |
Andre navne | SI7450DP-T1-GE3TR SI7450DPT1GE3 |
Driftstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid | 33 Weeks |
Blyfri Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
FET Type | N-Channel |
FET-funktion | - |
Drevspænding (Maks. RDS On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS) | 200V |
Detaljeret beskrivelse | N-Channel 200V 3.2A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C | 3.2A (Ta) |
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 100V 21A PPAK SO-8
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
MOSFET N-CH 20V 13.4A PPAK SO-8
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
MOSFET N-CH 60V 11.5A PPAK SO-8